Hersteller Produktnummer:
BSP149 E6906
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSP149 E6906-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
13063902
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSP149 E6906 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SIPMOS®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP149 E6906-ND
SP000055414
BSP149E6906
BSP149E6906T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSP149H6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
25184
TEILNUMMER
BSP149H6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSZ0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
BUZ73A H3046
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
IPAW60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
